脈沖激光沉積（PLD）簡(jiǎn)介

脈沖激光沉積（Pulsed Laser Deposition，簡(jiǎn)稱PLD），是一種利用激光對(duì)靶材進(jìn)行轟擊，將轟擊出來(lái)的等離子體沉積在襯底上，進(jìn)行薄膜生長(zhǎng)的技術(shù)。

在靶材表面，在足夠高的能量密度下和足夠短的脈沖時(shí)間內(nèi)，靶材吸收激光能量并使光斑處的溫度迅速升高至靶材的蒸發(fā)溫度以上，使靶材蒸發(fā)為區(qū)域化的高溫高密度等離子體，在激光束的繼續(xù)作用下，等離子體的溫度和壓力迅速升高，進(jìn)而轟擊基片表面沉積薄膜。

特點(diǎn)

1. 可對(duì)化學(xué)成分復(fù)雜的復(fù)合物材料進(jìn)行全等同鍍膜,易于保證鍍膜后化學(xué)計(jì)量比的穩(wěn)定。與靶材成分容易一致是PLD的最大優(yōu)點(diǎn),是區(qū)別于其他技術(shù)的主要標(biāo)志。；

2. 沉積速率高，試驗(yàn)周期短，襯底溫度要求低，制備的薄膜均勻；

3. 定向性強(qiáng)、薄膜分辨率高，能實(shí)現(xiàn)微區(qū)沉積；

4. 工藝參數(shù)任意調(diào)節(jié)，對(duì)靶材的種類沒(méi)有限制；

5. 生長(zhǎng)過(guò)程中可原位引入工藝氣體，引入活性或惰性及混合氣體提高薄膜質(zhì)量；

6. 易于生長(zhǎng)多層膜和異質(zhì)膜，特別是多元氧化物的異質(zhì)結(jié)構(gòu)；

7. 高真空環(huán)境內(nèi)，羽輝只在局部區(qū)域蒸發(fā)沉積，對(duì)真空腔體污染小。

應(yīng)用

脈沖激光沉積技術(shù)的應(yīng)用較為廣泛，除對(duì)該種激光透明的材料外，幾乎所有材料都可以使用PLD生長(zhǎng)薄膜。可用來(lái)制備金屬、半導(dǎo)體、氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硅化物、硫化物及氟化物等各種物質(zhì)薄膜，甚至還用來(lái)制備一些難以合成的材料膜，如金剛石、立方氮化物膜等。