對(duì)于一些特殊材料，如As，Sb，Se，S，Te等需要用裂解的方式進(jìn)行外延生長。
砷裂解源VACS，專用于As元素相關(guān)的III-V族MBE生長
硒裂解源VSCS，專用于硒化物II-VI族MBE生長
磷硒裂解源VGCS，專門用于制備磷化物，例如，GaP，InP等材料，應(yīng)用于HEMTS，HBTS和GaAlInP激光二極管等器件中。
VCCS，用于Sb，Te，Mg等腐蝕性材料的生長
砷元素閥式裂解源-VACS專門為As元素相關(guān)的III-V族MBE生長設(shè)計(jì)。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
兼容各類MBE系統(tǒng)
坩堝容量：300 ~ 500 cc；
高精度快速束流控制；
集成水冷罩；
閥門充分開啟截面；
VSCS閥式裂解源專門用于硒化物II-VI族分子束外延生長。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
坩堝容量：300/500 cc；
自動(dòng)閥門控制優(yōu)化束流；
閥門防堵設(shè)計(jì)；
VGCS閥式裂解源專門用于制備磷化物，
例如，GaP，InP等材料，應(yīng)用于HEMTS，HBTS和GaAlInP激光二極管等器件中。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
P2產(chǎn)出比高 (P2 / P4>150)；
坩堝容量：100 ~ 420 cc；
大截面錐形閥；
快速穩(wěn)定束流產(chǎn)出；
安全裝載設(shè)計(jì)；
沒有裂解區(qū)；
兼容各種MBE系統(tǒng)；
自動(dòng)擋板控制；
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直達(dá)具體產(chǎn)品分子束外延系統(tǒng)（MBE）、 脈沖激光沉積系統(tǒng)（PLD)、 反射式高能電子衍射儀（RHEED)、蒸發(fā)源、 離子源?、電子槍
