熱蒸發源是為蒸發不同元素和化合物設計的，例如III/V族MBE系統，典型的蒸發材料有Ga，In，Al，Si，Be，Cu，Au等。針對不同的材料，我們需要使用不同的源爐。
中溫束源爐 WEZ
- 溫度范圍：700℃~1400℃
- 坩堝容量：2~200 cc
- 標準燈絲、冷唇、熱唇、雙燈絲各種類型
低溫束源爐 NTEZ
- 溫度范圍：80℃~1000℃
- 坩堝容量：2~200 cc
- 標準燈絲、冷唇、熱唇、雙燈絲各種類型
高溫束源爐 HTEZ/HTS
- 溫度范圍：~2000℃
- 坩堝容量：1.5~35 cc
- 自支撐W絲加熱、熱解石墨加熱絲
大容量束源爐 PEZ
- 溫度范圍：200℃~1400℃
- 坩堝容量：40~1700 cc
- 標準燈絲、冷唇、熱唇、雙燈絲各種類型
有機物束源爐 OME
- 溫度范圍：15℃~300℃
- 坩堝容量：2~35 cc
- 溫度穩定性：< ±0.02℃
耐氧束源爐 OREZ
- 溫度范圍：200℃~1200℃
- 坩堝容量：10~125 cc
- 標準燈絲、冷唇、熱唇、雙燈絲各種類型
- 加熱絲及屏蔽部件均選用耐氧材質
磷摻雜源 DECO
- 通過GaP裂解產生高純P2，操作簡單、安全
- 坩堝容量：10~420 cc
- 工作溫度：900℃~1200℃
硅升華源 SUSI
- 工作溫度：~1400℃
- 超純硅加熱絲及硅屏蔽件，束流的控制精度可達到0.1A/s
- 用于生長超薄Si薄膜，高純Si摻雜，III-V族摻雜，GaAs摻雜
碳升華源 SUKO
- 工作溫度：~2300℃
- 高純PG加熱絲
- 用于高純C摻雜，III-V族摻雜，石墨烯研究
熱裂解源 TCC
- 溫度范圍：~1300℃
- 坩堝容量：35, 130 cc
- 三溫區設計
- 用于生長Te, Sb, Se, As, Mg
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直達具體產品分子束外延系統（MBE）、 脈沖激光沉積系統（PLD)、 反射式高能電子衍射儀（RHEED)、蒸發源、 離子源?、電子槍
