分子束外延系統（MBE）OCTOPLUS-O 400是專門為氧化物薄膜生長設計的MBE系統。利用差分抽氣的原理使得加熱源可以在氧氣或者臭氧環境下生長氧化物薄膜。適用于2英寸晶圓及2英寸以下小尺寸樣品。豎直分割式腔體設計，可以裝配各種源爐，實現不同材料分子束外延生長。
腔體尺寸： 450 mm ID，液氮冷屏（兼容水冷）
本底真空： < 2 × 10-10 mbar
樣品尺寸： 最大2 英寸，向下兼容小尺寸樣品
源爐法蘭： 9 × DN63CF，最多可至12個
設計特點： 腔體差分設計，臭氧噴淋靠近襯底，源爐單獨差分抽氣
加 熱 器： 抗氧化SiC加熱器，襯底溫度850℃
可 選 項： CO2激光加熱，襯底溫度1700℃
應用領域： 氧化物
系統特點：
● 強差分抽氣，雙氣壓區設計
● 高溫下耐臭氧的SiC樣品加熱器
● 靠近樣品臺設計的臭氧噴氣環
● 濃縮或者非濃縮臭氧源
● 原位生長表征
● 可伸縮式源爐設計，不破壞真空換料
● 9個MBE蒸發源CF法蘭口，可選配額外3個
● 可兼容多坩堝式電子束蒸發
我們可以根據所有客戶的要求，提供不同種類的蒸發源，包括K-cell、電子束蒸發源、熱裂解源、閥式裂解源、氣體裂解源等。可以使用石英晶振，反射式高能電子衍射儀(RHEED)或者四極桿質譜儀實現樣品生長的原位監測。
OCTOPLUS-O 400的設計說明：
區域1(藍色)
● 氧化物生長區
● O2和O3的局域高壓
● 靠近樣品臺的臭氧噴環，噴環與樣品之間距離可調
● 較低的臭氧消耗
● 高溫下耐臭氧的SiC加熱器
● 強差分抽氣
區域2(黃色)
● 蒸發源區
● 通向區域1的開放小孔形成的低壓區
● 獨立的分子泵
● 明顯低于區域1的氣壓
● 限量通過式隔板
● 無需獨立地對每個蒸發源進行差分抽氣
● 可集成多坩堝的電子束蒸發
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直達具體產品分子束外延系統（MBE）、 脈沖激光沉積系統（PLD)、 反射式高能電子衍射儀（RHEED)、蒸發源、 離子源?、電子槍
