OCTOPLUS 400

分子束外延系統（MBE）OCTOPLUS 400 分子束外延系統是一款通用型MBE系統，非常適合于III/V族， II/VI族，及其他復合半導體材料應用。兼容2-4英寸標準晶片。豎直分割式腔體設計，可以裝配各種源爐，實現不同材料分子束外延生長。

腔體尺寸： 450 mm ID，液氮冷屏（兼容水冷）

本底真空： < 5 × 10^-11 mbar

樣品尺寸： 最大3 英寸，向下兼容小尺寸樣品

加   熱   器： SiC，W等多種類型可選，最高溫度達1500 ℃

源爐法蘭： 10 × DN63CF

應用領域： II-V,   II-VI

系統特點：

● 用于研發的普適性MBE系統

● 應用于III/V族， II/VI族材料外延生長

● 適用于2-4英寸樣品

● 8個標準的CF法蘭孔(根據要求可以拓展到10個)

● 可以升級和選配實現系統擴展

● 原位生長表征

● 易于使用和方便維護

我們可以根據所有客戶的要求，提供不同種類的蒸發源，包括K-cell、電子束蒸發源、熱裂解源、閥式裂解源、氣體裂解源等。可以使用石英晶振，反射式高能電子衍射儀(RHEED)或者四極桿質譜儀實現樣品生長的原位監測。 EpiSoft MBE軟件可以精確控制所有的擋板，蒸發源源和樣品臺加熱器溫度。最大程度確保了操作的重復性。

Octoplus 400的主要特點是極高的可靠性和普適性，以及其占地空間小。這些特點使得我們的系統非常適合于研發。

標準的Octoplus 400有8個4.5’’(CF63)法蘭口，可以根據需求拓展到10個法蘭口。快速進樣室(Loading Chamber)配有高精度磁力傳輸樣品桿，可以在不破壞MBE腔室真空的前提下進行快速樣品傳輸。

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直達具體產品分子束外延系統（MBE）、 脈沖激光沉積系統（PLD)、 反射式高能電子衍射儀（RHEED)、蒸發源、 離子源?、電子槍