俄歇探針是Staib特意設計的原位，實時監測工具。是為較為難操作的環境設計的，如高氣壓，材料沉積，長工作距離，非常適合生長腔體中的監測。俄歇激發需要電子源，傾斜角度的RHEED電子源可以用于俄歇激發，提供原位，實時RHEED結構數據和俄歇元素組分信息，并且在生長過程中同時顯示出來。基片可以被監測，過程參數可以被調節，可以在沉積過程中通過RHEED衍射和俄歇分析儀研究生長材料情況。在生長過程中可以觀察獨特的元素組分，也可以通過建模表征為不同的矩陣進行量化。通過合適的激發源，REELS光譜可以從生長的材料中獲得。
特點：
適合于無干擾真空腔體：
非常好且可調的能量分辨率可以優化俄歇信號和詳細的REELS。
快速獲得實時的元素生長形貌。
較大的工作距離和較小的直徑。
穩定的結構允許在超高真空到mTorr的范圍內生長時進行操作。
可以在MBE應用中長時間穩定重復操作使用。
可以安裝于大多數樣品表面：
生長腔體上的普通或者有點不同的法蘭孔。
進樣腔或者傳輸腔內樣品的生長前和生長后的觀察。
標準法蘭尺寸CF63，以及不同尺寸。
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直達具體產品分子束外延系統（MBE）、 脈沖激光沉積系統（PLD)、 反射式高能電子衍射儀（RHEED)、蒸發源、 離子源?、電子槍
